Fosforek galu GaP

Opis

Fosforek galu GaP, ważny półprzewodnik o unikalnych właściwościach elektrycznych, jak inne materiały zawierające związki III-V, krystalizuje w termodynamicznie stabilnej sześciennej strukturze ZB, jest pomarańczowo-żółtym półprzezroczystym materiałem krystalicznym z pośrednią przerwą energetyczną 2,26 eV (300K), która jest zsyntetyzowany z 6N 7N galu i fosforu o wysokiej czystości i wyhodowany w monokrysztale techniką Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Kryształ fosforku galu jest domieszkowaną siarką lub tellurem w celu uzyskania półprzewodnika typu n, a cynkiem domieszkowanym jako przewodnictwo typu p w celu dalszego wytwarzania pożądanego wafla, który ma zastosowanie w układach optycznych, elektronice i innych urządzeniach optoelektronicznych.Jednokrystaliczny wafel GaP można przygotować w wersji Epi-Ready do aplikacji epitaksjalnych LPE, MOCVD i MBE.Wysokiej jakości monokrystaliczny wafel GaP z fosforku galu typu p, typu n lub niedomieszkowanego przewodnictwa w Western Minmetals (SC) Corporation może być oferowany w rozmiarach 2 "i 3" (50 mm, średnica 75 mm), orientacja <100>, <111 > z wykończeniem powierzchni w procesie surowym, polerowanym lub gotowym do obróbki.

Aplikacje

Dzięki niskiemu prądowi i wysokiej wydajności emitowania światła, wafel GaP z fosforku galu nadaje się do optycznych systemów wyświetlania, takich jak tanie czerwone, pomarańczowe i zielone diody elektroluminescencyjne (LED) oraz podświetlenie żółtych i zielonych LCD itp. oraz produkcja chipów LED z GaP o niskiej do średniej jasności jest również szeroko stosowany jako podstawowe podłoże do produkcji czujników podczerwieni i kamer monitorujących.

Zapytaj teraz

Detale

Tagi

Specyfikacja techniczna

Fosforek galu GaP

Wysokiej jakości jednokrystaliczny wafel GaP z fosforku galu lub podłoże typu p, typu n lub niedomieszkowanego przewodnictwa w Western Minmetals (SC) Corporation może być oferowany w rozmiarach 2 "i 3" (50 mm, 75 mm), orientacja <100> , <111> z wykończeniem powierzchni w stanie pociętym, docieranym, wytrawionym, polerowanym, przygotowanym do obróbki epilacyjnej w pojedynczym pojemniku na wafle zamkniętym w aluminiowej torbie kompozytowej lub jako niestandardowa specyfikacja dla idealnego rozwiązania.

Nie.	Przedmiotów	Standardowa specyfikacja
1	Rozmiar luki	2"
2	Średnica mm	50,8 ± 0,5
3	Metoda wzrostu	LE C
4	Typ przewodności	typu P / z domieszką Zn, typu N / (S, Si, Te) z domieszką, bez domieszek
5	Orientacja	<1 1 1> ± 0,5°
6	Grubość μm	(300-400) ± 20
7	Rezystywność Ω-cm	0,003-0,3
8	Orientacja Płaska (OF) mm	16±1
9	Identyfikacja Płaska (IF) mm	8±1
10	Ruchliwość hali cm2/Vs min	100
11	Stężenie nośnika cm^-3	(2-20) E17
12	Gęstość zwichnięcia cm^-2maks	2.00E+05
13	Wykończenie powierzchni	P/E, P/P
14	Uszczelka	Pojedynczy pojemnik na wafle zamknięty w aluminiowej torbie kompozytowej, karton na zewnątrz

Formuła liniowa	Luka
Waga molekularna	100,7
Struktura krystaliczna	Mieszanka cynku
Wygląd	Pomarańczowy stały
Temperatura topnienia	Nie dotyczy
Temperatura wrzenia	Nie dotyczy
Gęstość przy 300K	4,14 g/cm³
Przerwa energetyczna	2,26 eV
Własna rezystywność	Nie dotyczy
Numer CAS	12063-98-8
Numer WE	235-057-2

Wafel z fosforkiem galu GaP, o niskim prądzie i wysokiej wydajności w emitowaniu światła, nadaje się do optycznych systemów wyświetlania, takich jak tanie czerwone, pomarańczowe i zielone diody elektroluminescencyjne (LED) oraz podświetlenie żółtych i zielonych LCD itp. oraz produkcja chipów LED o niskim i średnim jasność, GaP jest również szeroko stosowany jako podstawowe podłoże do produkcji czujników podczerwieni i kamer monitorujących.