Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

Epitaksjalny (EPI) wafel krzemowy

Opis

Epitaksjalny wafel krzemowylub EPI Silicon Wafer, jest wafelkiem warstwy półprzewodnikowego kryształu osadzonym na wypolerowanej powierzchni kryształu podłoża krzemowego przez wzrost epitaksjalny.Warstwa epitaksjalna może być tym samym materiałem co podłoże dzięki jednorodnemu wzrostowi epitaksjalnemu lub egzotycznej warstwie o określonej pożądanej jakości dzięki heterogenicznemu wzrostowi epitaksjalnemu, który przyjmuje technologię wzrostu epitaksjalnego obejmującą chemiczne osadzanie z fazy gazowej CVD, epitaksję w fazie ciekłej LPE, a także wiązkę molekularną epitaksja MBE w celu uzyskania najwyższej jakości niskiej gęstości defektów i dobrej chropowatości powierzchni.Wafle krzemowe epitaksjalne są wykorzystywane przede wszystkim do produkcji zaawansowanych urządzeń półprzewodnikowych, wysoce zintegrowanych układów scalonych z elementami półprzewodnikowymi, urządzeń dyskretnych i zasilających, wykorzystywanych również do elementów diody i tranzystora lub podłoża układów scalonych, takich jak urządzenia bipolarne, MOS i BiCMOS.Ponadto wielowarstwowe płytki epitaksjalne i grubowarstwowe płytki krzemowe EPI są często wykorzystywane w zastosowaniach mikroelektronicznych, fotonicznych i fotowoltaicznych.

Dostawa

Epitaksjalne wafle krzemowe lub wafle krzemowe EPI firmy Western Minmetals (SC) Corporation mogą być oferowane w rozmiarach 4, 5 i 6 cali (100 mm, 125 mm, średnica 150 mm), z orientacją <100>, <111>, rezystywność warstwy <1ohm -cm lub do 150ohm-cm i grubości epiwarstwy <1um lub do 150um, aby spełnić różne wymagania dotyczące wykończenia powierzchni wytrawionej lub obróbki LTO, zapakowane w kasetę z kartonowym pudełkiem na zewnątrz lub jako niestandardowa specyfikacja dla idealnego rozwiązania .

Zapytaj teraz

Detale

Tagi

Specyfikacja techniczna

Epi Wafel Krzemowy

Epitaksjalne wafle krzemowelub EPI Silicon Wafer w Western Minmetals (SC) Corporation może być oferowany w rozmiarach 4, 5 i 6 cali (100 mm, 125 mm, 150 mm średnicy), z orientacją <100>, <111>, rezystywnością warstwy <1ohm-cm lub do 150 omów-cm i grubości epiwarstwy <1um lub do 150um, aby spełnić różne wymagania dotyczące wykończenia powierzchni wytrawionej lub obróbki LTO, zapakowane w kasetę z kartonowym pudełkiem na zewnątrz lub jako niestandardowa specyfikacja dla idealnego rozwiązania.

Symbol	Si
Liczba atomowa	14
Masa atomowa	28.09
Kategoria elementu	Półmetal
Grupa, okres, blok	14, 3, P
Struktura krystaliczna	Diament
Kolor	Ciemny szary
Temperatura topnienia	1414 ° C, 1687,15 K
Temperatura wrzenia	3265 ° C, 3538,15 K
Gęstość przy 300K	2,329 g/cm³
Własna rezystywność	3.2E5 Ω-cm
Numer CAS	7440-21-3
Numer WE	231-130-8

Nie.	Przedmiotów	Standardowa specyfikacja
1	Ogólna charakterystyka
1-1	Rozmiar	4"	5"	6"
1-2	Średnica mm	100±0,5	125±0,5	150±0,5
1-3	Orientacja	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Charakterystyka warstwy epitaksjalnej
2-1	Metoda wzrostu	CVD	CVD	CVD
2-2	Typ przewodności	P lub P+, N/ lub N+	P lub P+, N/ lub N+	P lub P+, N/ lub N+
2-3	Grubość μm	2,5-120	2,5-120	2,5-120
2-4	Jednolitość grubości	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	Rezystywność Ω-cm	0,1-50	0,1-50	0,1-50
2-6	Jednorodność rezystywności	≤3%	≤5%	-
2-7	Zwichnięcie cm-2	<10	<10	<10
2-8	Jakość powierzchni	Bez wiórów, zamglenia, skórki pomarańczowej itp.
3	Postępuj z charakterystyką podłoża
3-1	Metoda wzrostu	CZ	CZ	CZ
3-2	Typ przewodności	Nr części	Nr części	Nr części
3-3	Grubość μm	525-675	525-675	525-675
3-4	Grubość Jednolitość max	3%	3%	3%
3-5	Rezystywność Ω-cm	Jako wymagane	Jako wymagane	Jako wymagane
3-6	Jednorodność rezystywności	5%	5%	5%
3-7	Maks. TTV μm	10	10	10
3-8	Łuk maks. μm	30	30	30
3-9	Wypaczanie μm max	30	30	30
3-10	EPD cm-2 maks.	100	100	100
3-11	Profil krawędzi	Bułczasty	Bułczasty	Bułczasty
3-12	Jakość powierzchni	Bez wiórów, zamglenia, skórki pomarańczowej itp.
3-13	Wykończenie z tyłu	Wytrawiony lub LTO (5000±500Å)
4	Uszczelka	Wewnątrz kaseta, na zewnątrz karton.

Wafle krzemowe epitaksjalnesą wykorzystywane przede wszystkim w produkcji zaawansowanych urządzeń półprzewodnikowych, wysoce zintegrowanych układów scalonych elementów półprzewodnikowych, urządzeń dyskretnych i zasilających, wykorzystywanych również do elementów diody i tranzystora lub podłoża dla układów scalonych, takich jak urządzenia bipolarne, MOS i BiCMOS.Ponadto wielowarstwowe płytki epitaksjalne i grubowarstwowe płytki krzemowe EPI są często wykorzystywane w zastosowaniach mikroelektronicznych, fotonicznych i fotowoltaicznych.