CZ Wafel krzemowy

Opis

CZ Pojedynczy kryształowy wafel krzemowy jest wycinany z monokrystalicznych wlewków krzemowych wyciąganych metodą wzrostu Czochralskiego CZ, która jest najczęściej stosowana do wzrostu kryształów krzemu dużych cylindrycznych wlewków stosowanych w przemyśle elektronicznym do wytwarzania urządzeń półprzewodnikowych.W tym procesie, do stopionej kąpieli krzemowej, której temperatura jest precyzyjnie kontrolowana, wprowadza się cienkie zarodki krzemu krystalicznego o precyzyjnych tolerancjach orientacji.Kryształ zaszczepiający jest powoli wyciągany w górę ze stopu z bardzo kontrolowaną szybkością, krystaliczne krzepnięcie atomów z fazy ciekłej następuje na granicy faz, kryształ zaszczepiający i tygiel obracają się w przeciwnych kierunkach podczas tego procesu wyciągania, tworząc dużą pojedynczą krystaliczny krzem o doskonałej strukturze krystalicznej nasion.

Dzięki polu magnetycznemu zastosowanemu do standardowego wyciągania wlewków CZ, monokrystaliczny krzem Czochralski MCZ indukowany polem magnetycznym ma stosunkowo mniejsze stężenie zanieczyszczeń, niższy poziom tlenu i dyslokację oraz jednorodną zmianę rezystywności, co dobrze sprawdza się w zaawansowanych technologicznie elementach i urządzeniach elektronicznych produkcja w przemyśle elektronicznym lub fotowoltaicznym.

Dostawa

CZ lub MCZ Single Crystal Silicon Wafer przewodność typu n i p w Western Minmetals (SC) Corporation może być dostarczana w rozmiarach 2, 3, 4, 6, 8 i 12 cali (50, 75, 100, 125, 150, 200 i 300mm), orientacja <100>, <110>, <111> z wykończeniem powierzchni docieranym, trawionym i polerowanym w opakowaniu z pianki lub kasety z kartonowym pudełkiem na zewnątrz.

Zapytaj teraz

Detale

Tagi

Specyfikacja techniczna

CZ Wafel krzemowy

CZ Pojedynczy kryształowy wafel krzemowy jest podstawowym materiałem do produkcji układów scalonych, diod, tranzystorów, elementów dyskretnych, stosowanym we wszelkiego rodzaju urządzeniach elektronicznych i urządzeniach półprzewodnikowych, a także podłożem w obróbce epitaksjalnej, podłożem waflowym SOI lub przy produkcji wafelków półizolacyjnych, zwłaszcza dużych średnice 200mm, 250mm i 300mm są optymalne do produkcji ultra wysoce zintegrowanych urządzeń.Krzem jednokrystaliczny jest również używany do ogniw słonecznych w dużych ilościach przez przemysł fotowoltaiczny, którego prawie idealna struktura krystaliczna zapewnia najwyższą wydajność konwersji światła na energię elektryczną.

Nie.	Przedmiotów	Standardowa specyfikacja
1	Rozmiar	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Średnica mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	Przewodność	P lub N lub bez domieszek
4	Orientacja	<100>, <110>, <111>
5	Grubość μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 lub zgodnie z wymaganiami
6	Rezystywność Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 itd
7	Maks. RRV	8%, 10%, 12%
8	Podstawowe mieszkanie/długość mm	W standardzie SEMI lub zgodnie z wymaganiami
9	Drugie mieszkanie/długość mm	W standardzie SEMI lub zgodnie z wymaganiami
10	Maks. TTV μm	10	10	10	10	10	10
11	Łuk i osnowa w μm max	30	30	30	30	30	30
12	Wykończenie powierzchni	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	Uszczelka	Pudełko z pianki lub kaseta wewnątrz, karton na zewnątrz.

Symbol	Si
Liczba atomowa	14
Masa atomowa	28.09
Kategoria elementu	Półmetal
Grupa, okres, blok	14, 3, P
Struktura krystaliczna	Diament
Kolor	Ciemny szary
Temperatura topnienia	1414 ° C, 1687,15 K
Temperatura wrzenia	3265 ° C, 3538,15 K
Gęstość przy 300K	2,329 g/cm³
Własna rezystywność	3.2E5 Ω-cm
Numer CAS	7440-21-3
Numer WE	231-130-8

CZ lub MCZ Pojedynczy kryształowy wafel krzemowyprzewodność typu n i p w Western Minmetals (SC) Corporation może być dostarczana w rozmiarach 2, 3, 4, 6, 8 i 12 cali (50, 75, 100, 125, 150, 200 i 300 mm), orientacja <100>, <110>, <111> z wykończeniem powierzchni w stanie wyciętym, docieranym, trawionym i polerowanym w opakowaniu z pianki lub kasety z kartonowym pudełkiem na zewnątrz.